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- Ge组分 Ge profile
- Raman散射的峰位不仅与 Ge组分有关 ,而且与其中的应力状态有关 . 在完全应变和完全弛豫的情况下 ,Si1- x Gex 层中的 Si- Si振动模式相对于衬底的偏移都与 Ge组分成线性关系 . There is a linear Ge composition dependence of the Si|Si optical phonon mode shift,which is relative to the Si substrate for both fully relaxed and fully strained SiGe layers, as is used to calculate the extent of stress relaxation combined with the measured Raman shift.
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