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- 延伸漏极N型MOS extended drain NMOSFET
- 第三章对芯片中的特殊元器件进行了仿真分析,并且完成了在CMOS工艺下的延伸漏极NMOS功率管研究; Chapter 3 presents simulation results of the special devices of BCD technology with Medici and the study of extended drain power NMOS fabricated with Conventional CMOS technology;
- p型横向延伸漏金属氧化物半导体管 pLEDMOS
- n 型掺杂的漏极 n doped drain
- 漏 funnel
- 漏极 drain(electrode)
- 户型 house type
- 笔型 pen type
- 整型 integer
- 沙漏 sandglass
- 运动型 motile
- 漏油 oil leak
- 表型 phenotype
- 漏的 oozy
- 外型尺寸 external dimension
- 源漏极 source-drain electrode
- B型 Type B
- 漏出 leak
- 板型 mplate
- 漏失 leakage loss