Using these silicon films as the intrinsic layer,p-i-n solar cells were prepared on SnO2 substrates. The open circuit voltage(Voc) was 0.891V.
英
美
释义
以这部分材料作为太阳电池的本征层;在SnO2衬底上制备了p-i-n型太阳电池;电池的初始开路电压(Voc)达到了0.;891V。
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