This paper chooses BSIM3 (Berkeley short-channel IGFET model) the model to be extracted, which is for short channel MOS Field Effect transistor specially.
英
美
释义
本论文选取目前业界占主流地位的BSIM3(Berkeley short-channel IGFET model)为将要提取的模型,它是专门为短沟道MOS场效应晶体管而开发的一种模型。
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