The results show that this proposed model is suitable for simulating the film deposition in LPCVD reactor under various TEOS feed flow rate, wafer production rate and machine platform.

• 最后由模拟结果可以得知，本文所提出的物理模式可应用于不同的反应晶圆片数、不同的反应物进料流量和不同的操作机台上。