The device is implemented in a two-level polysilicon E/D NMOS technology with active area of 13.28mm2. The architecture of the chip allows variable time-slot applications.
英
美
释义
器件采用双层多晶硅E/DNMOS工艺制作;芯片有效面积为13.;28mm~2。 芯片系统结构具有可变时隙功能。
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