Secondly, properties of the diffusion barrier (TaNx) on the Cu/ TaNx/ CoSi2/p+n junctions will be studied by changing the thickness of the diffusion barrier layer and the passivation layer to find the optimum fabrication condition.
英
美
释义
其次,本计画第二年将研究铜金属化与矽化钴接触接面之整合,如阻障层厚度之调整以控制阻障特性与阶梯覆盖性之最佳化等研究。
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