In this thesis, two topics related to the epitaxy of CoSi2 and its application are studied.

• 在八英寸Si（100）衬底上利用Co/Si和Co/Ti/Si固相反应分别制备了多晶和外延CoSi2薄膜，通过四探针薄层电阻法（FPP）、X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）等手段，研究了CoSi2薄膜的结构、CoSi2薄膜与硅衬底接触的界面状况、CoSi2薄膜的外延质量、高温稳定性、以及自对准工艺窗口。