In order to overcome STI-induced mechanical stress effect, we have proposed a new method to improve the stress effect by changing the structure of n-MOSFET without any modification of processes.

• 为了克服浅沟绝缘结构机械应力效应，在不改变元件制程的情况下，我们提出了一个新的元件结构，可以有效地降低浅沟绝缘结构机械应力效应。