In TEM results, we find that H2 process lead to stronger indium confinement in the well layers and can suppress the spinodal decomposition in the rim part of the wafer.
英
美
释义
在高解析度穿透式电子显微术结果中,我们发现经由氢气的处理,铟原子主要局限于井层,同时也减轻晶圆的边缘处的铟密集的效应。
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