For the purpose of reducing off-state current, lightly doped drain(LDD) structures were used in a p-Si TFT LCD.
英
美
释义
针对多晶硅薄膜晶体管液晶显示器件关态漏电流较大的问题 ,采用源漏轻掺杂结构以降低关态时电荷的泄漏 ,增加晶体管的开关电流比值。
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