For continued technology scaling, high k materials are required to replace SiO_2 as gate dielectric in the next generation metal oxide field effect transistors (MOSFET).

• 在过去二十多年里,Si基元器件的大小遵循Moore定律按比例的持续减小。 对于下一代金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)器件,原来的栅极介电材料SiO_2已经不再适合使用。