But, MLC NAND type flash memory has two limitations: the data cannot be updated in situ, and the number of erase operations is limited.Besides, the read/write and erase unit size is not the same.

• 但多层式储存格反及闸快闪记忆体由于半导体物理特性之故，不能原地覆写、单位编成／抹除次数有限，并且单位存取及抹除单位并非相同，所以如何有效管理使用空间是一值得探讨议题。