At present the prevailing epitaxial growth techniques of GaN are Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), Molecule Beam Epitaxy (MBE) as well as HVPE.
英
美
释义
目前GaN的外延生长技术一般采用有机金属化学气相外延法(MOCVD),在蓝宝石衬底的(0001)面上外延生长GaN材料,另外还有分子束外延技术(MBE)及卤化物汽相外延技术(HVPE)等。
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