As compared with the MS structured device, the MOS device exhibits more perfect interface, because the oxide layer can effectively prevent the interdiffusion of Pd and GaAs.
英
美
释义
研究结果显示,降低无电镀镀浴之组成:如整体镀浴浓度、前驱盐浓度、还原剂浓度等变因,均将使钯膜粒径减小,分布均匀。而所得元件之二极体电性愈佳。
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