A systematical and intensively study of Schottky barrier and the whole device of GaAs MESFET has been presented in this paper. To the weaknesses of conventional method , the author put forward the Temperature Ramp Measurement (TRM) .

• 本实验对GaAs MESFET栅Schottky势垒接触及整体器件进行了较为系统和深入的研究，针对目前常规评价方法不能适应当前微电子器件快速发展的需要而出现的诸多问题，提出了恒定应力下的温度斜坡法（简称TRM法），动态观察和分析器件退化全过程，并应用此方法成功给出了实验样品的寿命预测值和失效率。