A novel configuration of a MOS varactor is designed for good linearity of Kvco,as well as a new digital capacitor controlled array topology with lower parasitic capacitance and lower Ron.
英
美
释义
通过改变MOS变容管的接入方法实现了更好的压控增益线性度,并采用了新的低寄生电容、低导通电阻的数控电容阵列结构来补偿工艺变化带来的频率变化。
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