A novel body contact technique for partially depleted SOI MOSFET is proposed.This method can suppress floating body effect of SOI MOSFET more effectively compared with other methods.
英
美
释义
摘要提出了一种新的部分耗尽SOI体接触技术,与其它体接触技术相比,该方法可以有效抑制SOI器件的浮体效应。
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